特許
J-GLOBAL ID：200903005451693430

半導体レーザ装置

発明者：
福永 敏明

福永 敏明 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348527
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168458
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置において、高出力駆動時の端面における発熱を防止し、信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板11上に、n-Alz1Ga1-Z1As下部クラッド層12、nあるいはi-In0.49Ga0.51P下部光導波層13、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層14、pあるいはi- In0.49Ga0.51P上部第一光導波層15、GaAsキャップ層16、SiO2膜17を積層する。劈開面から内側に20μm程度の幅のSiO2膜17を除去する。このSiO2膜17をマスクとして、端面近傍のGaAsキャップ層およびpあるいはi-In0.49Ga0.51P 上部第一光導波層を除去する。次に、SiO2膜17を除去し、端面近傍のInx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層14と残ったGaAsキャップ層16を除去する。その上に、pあるいはi-In0.49Ga0.51P 上部第二光導波層18、p-Alz1Ga1-Z1As上部クラッド層19、p-GaAsコンタクト層20を成長する。
請求項（抜粋）：
第一導電型GaAs基板上に、少なくとも、第一導電型下部クラッド層、第一導電型あるいはアンドープのInGaP下部光導波層、InGaAsPまたはInGaAsからなる活性層、第二導電型あるいはアンドープのInGaP上部第一光導波層、第二導電型あるいはアンドープのInGaP上部第二光導波層、第二導電型上部クラッド層および第二導電型コンタクト層がこの順に積層された半導体層からなる半導体レーザ装置において、前記活性層および前記InGaP上部第一光導波層が、該半導体層が劈開されてなる端面のうち、レーザ光が出射される2つの平行な端面に隣接する部分を除去されており、該端面に隣接する部分が除去されたInGaP上部第一光導波層の上に、該除去された部分を覆うように、前記InGaP上部第二光導波層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/22
FI (2件)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/22
Fターム (7件)：
5F073AA13 ,  5F073AA83 ,  5F073AA88 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA33 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (8件)
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