特許
J-GLOBAL ID:200903005453854890

低反射膜積層体とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-117233
公開番号(公開出願番号):特開平11-305009
出願日: 1998年04月27日
公開日(公表日): 1999年11月05日
要約:
【要約】【課題】成膜工程上2層構成でありながら、反射率を抑え、さらに電磁波シールド効果の機能を合わせ持つ低反射膜積層体を提供すること。【解決手段】基材2の上に設けられ、導電性を有するセラミック薄膜層3を少なくとも1層含み、材料の異なる2つの層からなる低反射膜積層体1であって、低反射膜積層体1の基材2と接する第1の層は、屈折率の異なる2つの層4、5からなり、この基材と接する第1の層の2つの層4、5の屈折率を基材側からn<SB>11</SB>,n<SB>12</SB>,第2の層6の屈折率をn<SB>2 </SB>としたとき、n<SB>2 </SB><n<SB>11</SB><n<SB>12</SB>であることを特徴とする。
請求項(抜粋):
基材の上に設けられ、導電性を有するセラミック薄膜層を少なくとも1層含み、材料の異なる2つの層からなる低反射膜積層体であって、低反射膜積層体の基材と接する第1の層は、屈折率の異なる2つの層からなることを特徴とする低反射膜積層体。
IPC (2件):
G02B 1/11 ,  B32B 18/00
FI (2件):
G02B 1/10 A ,  B32B 18/00 C
引用特許:
審査官引用 (11件)
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