半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239403
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092817
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】金属配線層の狭ピッチの部分における寄生容量の小さい、カバレジ不良のない、かつボンディングパッド用開口部からの吸湿のない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下地となる層間絶縁膜11の上に形成された複数の金属配線12が形成されている。各金属配線12間を誘電率の低いシリコン酸化膜で構成される埋め込み絶縁膜13で埋めることにより、金属配線の寄生容量を低減する。埋め込み絶縁膜の上に耐吸湿性の高いシリコン窒化膜で構成されるパシベーション膜14を形成することによりカバレジ不良を解消する。埋め込み絶縁膜13及びパシベーション膜14からなる表面保護膜20の一部に形成された開口部20a内にボンディングパッド15が埋め込まれ、埋め込み絶縁膜13が露出しないようにすることで、開口部からの吸湿を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が配設された半導体基板と、上記半導体基板の上に形成された誘電体膜からなる層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜の上に形成された多数の金属配線からなる金属配線層と、上記金属配線層の各金属配線間の領域のうち少なくとも最小の間隔を有する領域を埋める誘電率の低い誘電体膜からなる埋め込み絶縁膜と、上記金属配線層及び埋め込み絶縁膜を覆う耐吸湿性の高い誘電体膜からなるパシベーション膜とにより構成される表面保護膜と、上記表面保護膜に形成されたボンディングパッド用の開口部と、上記開口部に形成され外部との電気的接続を行うためのボンディングパッドとを備え、上記ボンディングパッドと上記表面保護膜内のパシベーション膜とにより、上記開口部において上記表面保護膜内の埋め込み絶縁膜が表面に露出しないように覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H01L 21/316 , H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/318 B , H01L 21/316 X , H01L 21/60 301 P

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-107805 出願人：日本電気株式会社
半導体ウエハーをパッシベーション化する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-228790 出願人：ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
特開平4-179246

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