半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332884
公開番号（公開出願番号）：特開2000-163988
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】ブロック可否情報を高速且つ確実に読み出すことができる半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】ロウ及びコラムに対応して縦横に配列されるメモリセル26と、そのメモリセルの使用可否情報を記憶する前記メモリセル以外に設けられた可否情報記憶手段40とを有することにより上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

電気的に書き込み及び消去が可能な半導体記憶装置において、ロウ及びコラムに対応して縦横に配列されるメモリセルと、そのメモリセルの使用可否情報を記憶する前記メモリセル以外に設けられた可否情報記憶手段とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 29/00 605 , G11C 29/00 603 , G06F 12/16 310 , G11C 16/06

FI (5件)：

G11C 29/00 605 Z , G11C 29/00 603 J , G06F 12/16 310 R , G11C 17/00 639 B , G11C 17/00 639 C

Fターム (27件)：

5B018GA02 , 5B018HA06 , 5B018HA14 , 5B018HA35 , 5B018KA01 , 5B018KA15 , 5B018NA06 , 5B018QA01 , 5B025AA07 , 5B025AC01 , 5B025AD01 , 5B025AD10 , 5B025AD13 , 5B025AD15 , 5B025AE05 , 5B025AF01 , 5B025AF02 , 5L106AA09 , 5L106BB01 , 5L106BB12 , 5L106CC09 , 5L106CC16 , 5L106CC21 , 5L106CC34 , 5L106FF04 , 5L106FF05 , 5L106GG05

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-274856 出願人：三星電子株式会社
メモリ制御装置およびメモリ制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-226241 出願人：株式会社日立製作所
ICメモリカードおよびそのICメモリカードの検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-096666 出願人：株式会社東芝

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