膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108308
公開番号（公開出願番号）：特開2001-294809
出願日： 2000年04月10日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、比誘電率特性のPCT(Pressure Cooker Test)耐性、耐クラック性、CMP(Chemical Mechanical Polishing)耐性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)下記式1、2、3で表される化合物の群から選ばれた少なくとも一種のシラン化合物をpKaが10以下の塩基性化合物と水の存在下で縮合した加水分解縮合物ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成組成物。Ra(Si)(OR1)4-a・・・・・1Si(OR2)4・・・・・2R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・・・3(式中RはH、F、又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7はO、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2の整数、b、cは0〜2の数、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をpKaが10以上の塩基性化合物と水の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (5件)：

C09D183/04 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (5件)：

C09D183/04 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Fターム (39件)：

4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL041 , 4J038GA01 , 4J038GA07 , 4J038GA12 , 4J038JA18 , 4J038JA20 , 4J038JA21 , 4J038JA26 , 4J038JA32 , 4J038JA56 , 4J038JA62 , 4J038JA64 , 4J038JB03 , 4J038JB09 , 4J038JB13 , 4J038JB25 , 4J038JB29 , 4J038JB32 , 4J038JB38 , 4J038JB39 , 4J038KA03 , 4J038KA06 , 4J038LA03 , 4J038MA06 , 4J038MA09 , 4J038NA19 , 4J038NA21 , 4J038PA09 , 4J038PA14 , 4J038PA18 , 4J038PB02 , 5F058AC03 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BH02 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

シリカ系被膜形成用塗布液及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-144808 出願人：東京応化工業株式会社
コーティング用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-138460 出願人：東レ株式会社
膜形成用組成物、膜形成用組成物の形成方法およびシリカ系膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-068977 出願人：ジェイエスアール株式会社

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