特許
J-GLOBAL ID：200903005535823011
半導体レ-ザ装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050767
公開番号（公開出願番号）：特開平11-346033
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【目的】 電流狭窄層の幅に制限を受けることなく発光領域の幅を自由に設計することができ、良好な電気的特性を保ったまま所望の光学的特性を得ることができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体レーザ装置は、n-GaAs基板21上に、n-GaAsバッファ層22、n-AlGaAsクラッド層23、活性層24、p-AlGaAsクラッド層25、狭窄層26、ストライプ状のメサに加工されたp-AlGaAsクラッド層27、n-GaAs電流阻止層28及びp-GaAsコンタクト層29を備え、狭窄層26は、発光領域の直近上部のリッジ底部に設置された電流狭窄層であり、エピ段階で成長形成され、リッジ作製エッチングを行った後に選択エッチングによるサイドエッチングにより作製する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、半導体基板上に形成された第1のクラッド層と、第1のクラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2のクラッド層と、第2のクラッド層上に形成されストライプ状の凸部を有する第3のクラッド層と、第3のクラッド層の凸部の少なくとも一部を除いて形成された電流阻止層と、第3のクラッド層上に形成されたコンタクト層とを備えた半導体レーザ装置であって、発光領域の直近上部に電流狭窄構造となるストライプ制御層を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (4件)：
H01S 3/18 665
, H01L 21/205
, H01L 21/306
, H01L 21/308
H01S 3/18 665
, H01L 21/205
, H01L 21/308 C
, H01L 21/306 B
