磁気記憶装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-097889
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298025
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】素子を微細化しても、スイッチング磁界の増大を防止でき、かつ安定な記憶保持動作を実現できる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】温度によってスイッチング磁界が変化する強磁性体で形成され外部磁界により磁化方向が変化する記録層、絶縁層、および強磁性体で形成された磁化固着層を含む接合を持つトンネル磁気抵抗効果素子と、前記トンネル磁気抵抗効果素子の記録層に積層された温度制御層と、前記トンネル磁気抵抗効果素子に書き込み用の電流磁界を与える、互いに交差する方向に配置されたビット線およびディジット線とを有し、前記トンネル磁気抵抗効果素子への書き込み時に、読み出し時よりも大きい電流が通電される磁気記憶装置。

請求項（抜粋）：

温度によってスイッチング磁界が変化する強磁性体で形成され外部磁界により磁化方向が変化する記録層、絶縁層、および強磁性体で形成された磁化固着層を含む接合を持つトンネル磁気抵抗効果素子と、前記トンネル磁気抵抗効果素子に書き込み用の電流磁界を与える、互いに交差する方向に配置されたビット線およびディジット線と、前記ビット線と前記トンネル磁気抵抗効果素子との間、または前記ディジット線と前記トンネル磁気抵抗効果素子との間に設けられた温度制御層とを有することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , G11C 11/15 110 , G11C 11/15 140 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 110 , G11C 11/15 140 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA30 , 5F083JA24 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (5件)

強磁性体メモリの熱補助駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-250200 出願人：キヤノン株式会社
熱を利用した切替えを実行する情報記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-384427 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気メモリデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-084554 出願人：名古屋大学長, 三洋電機株式会社

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