TFTアレイ基板の製造方法及び液晶表示装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大岩増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-318461
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086090
出願日： 2003年09月10日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】液晶表示装置用のTFTアレイ基板の製造において、基板の被成膜面の汚染に起因する配線や電極の密着力不足を解消し、断線不良を低減する。【解決手段】 5つのステップ(A)〜(E)を含み5回の写真製版が行われるTFTアレイ基板の製造において、ソース電極8、ソース配線9及びドレイン電極10を形成する第2の金属薄膜を成膜する前にその被成膜面に実施される第2の洗浄工程にて、被成膜面に付着したシリコン弗化物またはメタル弗化物等の弗素系反応生成物を含む汚染物質を除去する除去処理としてTMAH溶液を用いた洗浄を行った。これにより下層膜(ゲート絶縁膜5)と第2の金属薄膜(Cr)との密着力が向上し、下層膜と第2の金属薄膜からなる電極または配線との密着力不足に起因する断線不良を低減することができ、表示品位に優れた信頼性の高い液晶表示装置を高い歩留まりで製造することが可能となった。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に複数本形成されそれぞれゲート電極を有するゲート配線、前記ゲート配線と交差するよう複数本形成されそれぞれソース電極を有するソース配線、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極よりなる薄膜トランジスタ、前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極を備えたTFTアレイ基板の製造方法であって、前記ゲート配線を形成する第1の金属薄膜を成膜する前にその被成膜面に実施される第1の洗浄工程、前記ソース配線及び前記ドレイン電極を形成する第2の金属薄膜を成膜する前にその被成膜面に実施される第2の洗浄工程及び前記画素電極を形成する透明導電性膜を成膜する前にその被成膜面に実施される第3の洗浄工程を含み、これら第1、第2及び第3の洗浄工程のうち少なくとも一つの洗浄工程において、前記被成膜面に付着した弗素系反応生成物を含む汚染物質を除去する除去処理を行うことを特徴とするTFTアレイ基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/336

FI (6件)：

H01L29/78 612A , G02F1/1368 , H01L21/28 A , H01L29/78 612D , H01L21/88 C , H01L29/78 627Z

Fターム (75件)：

2H092JA28 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB22 , 2H092MA22 , 2H092NA18 , 2H092NA29 , 2H092NA30 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC05 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104GG20 , 4M104HH08 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033JJ01 , 5F033KK05 , 5F033LL04 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ19 , 5F033QQ95 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX14 , 5F110AA00 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG44 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK41 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (2件)

基板の洗浄方法および洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-092053 出願人：東レ株式会社
特閑2001-108822号公報

審査官引用 (3件)

Cr膜とのコンタクトの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-127601 出願人：日本電気株式会社, 秋田日本電気株式会社
液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-144586 出願人：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタ-基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-330594 出願人：三星電子株式会社

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