特許

J-GLOBAL ID：200903008658217735

Cr膜とのコンタクトの形成方法

発明者： 山口 弘高 ,  木村 聡 ,  山本 篤
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  秋田日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127601
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308182
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 Cr膜上の絶縁膜を開口し、Cr膜に対するコンタクトを形成する際、コンタクト抵抗の小さいコンタクトの形成方法を提供する。【解決手段】 画素トランジスタ部12、ゲート端子部14、ドレイン端子部16、及び保護トランジスタのD-G接続部18上にはコンタクトホールの開口パターンを有する、フォトレジスト膜からなるエッチングマスクを形成する。SF6 系ガスをエッチングガスとして使ったRIE法によって、画素トランジスタ部12、ゲート端子部14及びD-G接続部18の第1領域、並びに、ドレイン端子部16及びD-G接続部18の第2領域に、下方に向けて開口寸法が縮小するテーパ壁のコンタクトホール40、42、44、46、48を開口する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜下に形成されているクロム(Cr)膜に対するコンタクトの形成方法であって、コンタクトホールの開口パターンを有するエッチングマスクを介して、SF6ガスを主成分とするエッチングガスを使ったRIEドライエッチング法によって、前記Cr膜上の前記絶縁膜をエッチングし、前記Cr膜を露出させるコンタクトホールを開口するドライエッチング工程と、前記コンタクトホールを導電膜で埋め込み、又は前記コンタクトホールの側壁及び露出したCr膜上に導電膜を成膜して、前記Cr膜と電気的に接続する導電性コンタクトを形成するコンタクト形成工程とを有することを特徴とするCr膜とのコンタクトの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 M ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (87件)：

4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104HH15 ,  5F004AA12 ,  5F004AA14 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK07 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ95 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX09 ,  5F033XX21 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE36 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HL26 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-188519   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348260   出願人：富士通株式会社
• ITO膜接続構造、TFT基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-243449   出願人：富士通株式会社
• Cr膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-076811   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-111092   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-316351