特許
J-GLOBAL ID：200903005631956367

半導体装置の製造方法

発明者：
山下 征大

山下 征大 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-276755
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093898
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 CMP(化学的機械的研磨)法による研磨工程を含む、溝型素子分離を備えた半導体装置の製造方法において、パターン寸法が微細化しても、素子分離用絶縁膜を損なうことなく研磨残りを防止する。【解決手段】 半導体基板に形成された複数の凸部から相対的に広い領域を占める凸部を選択し、この凸部の辺縁部を覆い、かつこの凸部上に開口を有するレジストパターン11を形成し、これをマスクとして絶縁膜7aを異方性エッチングする。さらに、溝内部の素子分離用絶縁膜を浸食しないように凸部の辺縁部上の絶縁膜7cを等方性エッチングすることにより、この絶縁膜の高さを減少させる。レジストパターンを除去した後に、絶縁膜をCMP研磨する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に選択的に複数の溝を形成して前記複数の溝に挟まれた複数の凸部を形成する工程と、少なくとも前記複数の溝が埋まるように前記複数の溝および前記複数の凸部上に絶縁膜を形成する工程と、前記複数の凸部から相対的に広い領域を占める凸部を選択し、この凸部の辺縁部を覆い、かつこの凸部上に開口を有するマスクを前記絶縁膜上に形成する工程と、前記マスクを用いて前記絶縁膜を異方性エッチングする工程と、前記複数の溝の内部の絶縁膜を浸食しないように前記絶縁膜をエッチングすることにより、少なくとも前記辺縁部上の絶縁膜の高さを減少させる工程と、前記マスクを除去した後に前記絶縁膜を化学的機械的研磨する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (12件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA77 ,  5F032BA05 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53
引用特許：
審査官引用 (4件)
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