特許
J-GLOBAL ID：200903005661906810

積層圧電セラミックス構造体及びその製造方法

発明者：
相澤 周二

相澤 周二 について

, 
川上 祥広

川上 祥広 について

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西宮 幸雄

西宮 幸雄 について


出願人/特許権者：
NECトーキン株式会社

NECトーキン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-015269
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049806
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 基板材料としてSi、セラミックスの他、ステンレスや銅,鉄,ニッケルなどの安価な金属材料の使用が可能で、かつ、圧電特性が優れたPZT等の鉛を含む圧電セラミックス厚膜を有する、積層圧電セラミックス構造体とその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板3と、鉛を含む圧電セラミックス厚膜1との間に、銅または白金族金属からなる金属層を中間層2として積層した積層圧電セラミックス構造体で、前記鉛を含む圧電セラミックスは、MnO、Mn2O3、Mn3O4、BaO、CaO、SrOのうち、少なくとも一種を含有して、耐還元性を有しており、前記圧電セラミックス層は、エアロゾルデポジション法により形成し、前記積層圧電セラミックス構造体を不活性雰囲気中、または、還元性雰囲気中で熱処理を行う積層圧電セラミックス構造体の製造方法。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、鉛を含む圧電セラミックス層との間に、銅または白金族金属からなる金属層を中間層として積層した構造を特徴とする積層圧電セラミックス構造体。
IPC (6件)：
H01L 41/09 ,  C04B 35/49 ,  C04B 35/00 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/22
FI (9件)：
H01L41/08 L ,  C04B35/49 Z ,  C04B35/00 J ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101E ,  H01L41/18 101F ,  H01L41/22 A ,  H01L41/22 Z
Fターム (20件)：
4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA25 ,  4G030AA40 ,  4G030BA10 ,  4G030CA08 ,  4G030GA01 ,  4G030GA24 ,  4G030GA26 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA19 ,  4G031BA10 ,  4G031CA08 ,  4G031GA08 ,  4G031GA10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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