特許
J-GLOBAL ID：200903059261939347
積層型誘電体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180167
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115620
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 焼成時の雰囲気調整が容易で、酸化物誘電体の組成変動や、雰囲気ガスとの反応による膨張等の不具合が発生することがなく、高品質で大型化が可能な積層型誘電体を製造することを目的とする。【解決手段】 PZT等の酸化物誘電体層2とCu等の卑金属を主成分とする内部電極層3との積層体1を、還元雰囲気中で焼成する際に、CO2 ガスを主成分とし、任意量のCOガスおよびO2 ガスを含む混合ガスを用いる。CO2 ⇔2CO+1/2O2 平衡系を利用し、COガスおよびO2 ガスの量を調整することにより、容易にかつ安定して雰囲気ガス中の酸素分圧を調整でき、雰囲気の変動、ばらつきを抑制する。
請求項（抜粋）：
酸化物誘電体層と卑金属を主成分とする内部電極層との積層体を、還元雰囲気中で焼成する工程を経て積層型誘電体を製造する方法において、上記焼成工程を、CO2 ガスを主成分とし、任意量のCOガスおよびO2 ガスを含む混合ガス中で行い、上記COガスおよびO2 ガスの量を調整することにより、雰囲気ガス中の酸素分圧を所定範囲に調整することを特徴とする積層型誘電体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 41/22
, H01L 41/083
, H01L 41/187
H01L 41/22 Z
, H01L 41/08 Q
, H01L 41/18 101 D
