半導体メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054449
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255487
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】データ保持能力が低下しても、十分な期間データ保持を可能にする。【解決手段】記憶データに応じてメモリセルのトランジスタの閾値の状態を保持する不揮発性の半導体メモリ装置において、メモリセルの閾値状態の応じて変化するメモリセルからの出力Vout が、所定の書き込みベリファイレベルVPGM を超えるまで閾値状態を変化させて記憶データの書き込みを行う書き込み回路56と、メモリセルからの出力Vout が、所定の読み出しレベルVreadを超えるか否かを検出する読み出し検出回路26と、メモリセルからの出力Vout が、前記読み出しレベルと異なるモニタレベルVM0を超えるか否かを検出する記憶データ劣化検出回路50と、記憶データ劣化検出回路が、メモリセルからの出力がモニタレベルを超えないことを検出し、読み出し検出回路が、メモリセルからの出力が読み出しレベルを超えることを検出した時に、当該メモリセルに対して、読み出し検出回路が検出した記憶データの再書き込みが行われることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

記憶データに応じてメモリセルのトランジスタの閾値の状態を保持する不揮発性の半導体メモリ装置において、前記メモリセルの閾値状態に応じて変化する前記メモリセルからの出力が、所定の書き込みベリファイレベルを超えるまで前記閾値状態を変化させて前記記憶データの書き込みを行う書き込み回路と、前記メモリセルからの出力が、所定の読み出しレベルを超えるか否かを検出する読み出し検出回路と、前記メモリセルからの出力が、前記読み出しレベルと異なるモニタレベルを超えるか否かを検出する記憶データ劣化検出回路と、前記記憶データ劣化検出回路が、前記メモリセルからの出力が前記モニタレベルを超えないことを検出し、前記読み出し検出回路が、前記メモリセルからの出力が前記読み出しレベルを超えることを検出した時に、当該メモリセルに対して、該読み出し検出回路が検出した記憶データの再書き込みが行われることを特徴とする半導体メモリ装置。

FI (3件)：

G11C 17/00 611 A , G11C 17/00 612 B , G11C 17/00 614

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-222196
不揮発性半導体記憶装置及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-252093 出願人：三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社, 三菱電機株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077291 出願人：株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社

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