フラッシュメモリを混載するマイクロコンピュータのデータ書換え方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-133481
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050698
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】従来、フラッシュEEPROMのメモリセルは、種々のディスターブ(disturb) の問題が発生し、ブロック毎に書込み・消去が要求され、長期間に渡って記憶されるデータの状態を良好に保持させる点でデータに影響を与える場合がある。【解決手段】フラッシュメモリ1の任意に指定したエリアに保持されるデータをRAM2にデータ転送して一時的に退避させ、そのエリアのデータを消去した後、前記フラッシュメモリ1に待避させたデータを前記エリアに再書込みを行うリフレッシュモードを有するフラッシュメモリを混載するマイクロコンピュータのデータ書換え方法である。

請求項（抜粋）：

電気的にデータ書換え可能でメモリセルエリアが複数のブロックに分割されたフラッシュメモリ及び、データの書込み読出し可能な記憶装置を混載するマイクロコンピュータにおいて、前記ブロック単位で、任意のエリアのデータをフラッシュメモリから前記記憶装置に退避させ、フラッシュメモリの退避させたエリアのデータを消去し、再度、前記記憶装置から前記退避させたデータを元のエリアに再書き込みして、フラッシュメモリに保持されるデータを前記ブロックを基準とするエリア毎にリフレッシュすることを特徴とするフラッシュメモリを混載するマイクロコンピュータのデータ書換え方法。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , G06F 12/16 310 , G06F 15/78 510 , G11C 11/406

FI (4件)：

G11C 17/00 510 Z , G06F 12/16 310 A , G06F 15/78 510 F , G11C 11/34 363 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置およびこれを用いた記憶システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-004303 出願人：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302089 出願人：日本電気株式会社
特開平2-049300

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