特許
J-GLOBAL ID：200903005684962121
III族窒化物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193125
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031164
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 FETなどのIII 族窒化物半導体素子の構築に適する絶縁性の立方晶単結晶基板材料を選択し、その単結晶基板上に立方晶のIII 族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築するのに適した緩衝層の構成要件を提示する。【解決手段】 フッ化カルシウム(CaF2 )からなる絶縁性の立方晶の単結晶基板上に、リン化硼素(BP)系材料から緩衝層を構成する。そして、上記単結晶基板上に上記緩衝層を介して、立方晶の窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム結晶層からなる活性層を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性のフッ化カルシウム(化学式:CaF<SB>2</SB> )からなる単結晶基板と、該単結晶基板上に形成された少なくとも硼素(元素記号:B)とリン(元素記号:P)とを構成元素として含む緩衝(バッファ)層と、前記単結晶基板上に前記緩衝層を介して形成された、一般式AlαGaβIn<SB>1-</SB>α<SB>-</SB> βN<SB>1-</SB>γMγ(0≦α,β≦1、0≦α+β≦1、記号Mは窒素以外の第V族元素を表し、0≦γ<1)で表記される窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム結晶層からなる活性層とを具備するIII 族窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GN04
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GT03
, 5F102HC01
, 5F102HC15
