特許
J-GLOBAL ID：200903005700370574

窒化チタン基体へのタングステンの化学蒸着

発明者：
ウェッブ,ダグラス,エイ.

ウェッブ,ダグラス,エイ. について


出願人/特許権者：
トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド

トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド について

, 
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-536635
公開番号（公開出願番号）：特表2001-524261
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：
【要約】窒化チタン上に被覆タングステンの薄膜を化学蒸着する方法は、200°C〜500°Cの間の温度で六フッ化タングステンを水素還元することにより進められる。タングステン膜核形成は、望ましくは水素プラズマによって基体の窒化チタン表面をプラズマ処理することによって容易にするのが好ましい。プラズマ処理は、別個なエッチングチャンバ内で実施し、中間的に空気に曝露することなく、タングステンCVDチャンバに移されてよく、あるいは望ましくは、タングステン膜を施すべきタングステンCVD反応器のチャンバ内のサセプタに基体を取り付けて実施する低エネルギーエッチングによって実施されてよい。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの処理チャンバを有するCVD装置内で、基体の空気に曝露されたTiN表面上にタングステンを化学蒸着する際に、シランを使用せずにタングステンの核形成を促進する方法であって、 この基体の空気に曝露されたTiN表面をプラズマエッチングし、次いで このプラズマ処理した表面を酸素を含む環境に実質的に曝露することなく、基体が内部に装填されているCVD処理チャンバ内にH2とWF6とを噴入する一方、基体のTiN表面へのタングステンの付着を生じる還元反応を生起させる条件を保持する、諸工程からなる上記方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285
FI (2件)：
H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM