特許

J-GLOBAL ID：200903005716606640

研磨剤

発明者： 宮下 直人 ,  下村 まり子 ,  安部 正泰
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110575
公開番号（公開出願番号）：特開平9-194823
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：

【要約】【課題】 基板をポリッシングする際に用いられるポリッシングレートの大きい研磨剤及びCMPにより半導体基板の被ポリッシング膜を平坦化する方法に適した研磨剤を提供する。【解決手段】 被ポリッシング材のポリッシング処理において、窒化珪素、炭化珪素及び炭素(グラファイト)から選択された1つの材料からなる研磨粒子に分散させた研磨剤を用いる。この研磨粒子の1次粒子径は0.01〜1000nmが適当である。また研磨粒子の2次粒子径が60〜300nmの範囲にあるとポリッシングレートが大きく向上する。この研磨粒子は高い硬度を有しており従来知られている研磨粒子を分散させたものよりポリッシングレートが大きく、被ポリッシング膜の平坦化を効率良く行うことができる。この研磨剤は、半導体基板表面の被ポリッシング膜をCMPによりポリッシングする方法に適している。

請求項（抜粋）：

窒化珪素粒子からなる研磨粒子を所定粘度の溶媒に分散させたことを特徴とする研磨剤。

IPC (3件)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

C09K 3/14 550 E ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 321 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-278822
  
• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044160   出願人：株式会社東芝
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044316   出願人：株式会社東芝
• 研磨剤組成物及びそれを用いる研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204478   出願人：キヤノン株式会社