特許

J-GLOBAL ID：200903005785836046

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 林 伸彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243437
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092927
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 作製が容易で信頼性が高く、かつ高出力化が可能な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 n-GaAsウエハ上に複数の半導体レーザ装置101を形成し、n-GaAsウエハをへき開することによりレーザバーを形成した後、前端面AにSiOX 膜11およびSiN膜12からなる反射膜10を形成する。前端面Aをランプアニールまたはレーザアニールすることにより、SiOX 膜11中のSiを前端面Aの近傍に拡散させてSi拡散領域16を形成する。

請求項（抜粋）：

活性層を含む少なくとも一方の共振器端面上に構成元素として不純物元素を含む反射膜が形成され、前記反射膜下の前記少なくとも一方の端面に前記反射膜中の前記不純物元素が拡散されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/22

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/22 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-000640   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-046231   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-265881   出願人：松下電器産業株式会社