特許
J-GLOBAL ID：200903005788072756

半導体装置の製造方法

発明者：
塚本 雅則

塚本 雅則 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003781
公開番号（公開出願番号）：特開平9-190983
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 しきい電圧の変動等を招くことなく、拡散層となる N+ 層やP+ 層の抵抗増加を抑制し、またPoly-Si(ポリシリコン)系ゲート電極の空乏化を改善することのできる半導体装置の製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 不純物濃度が1×1019/cm3 であるN+ 層もしくはP+ 層を有する半導体装置を製造する方法において、不純物の活性状態に影響を及ぼす熱工程のうち、最終に行う熱工程を高温短時間アニールとする。また、不純物を含有したシリコン系ゲート電極構造を有する半導体装置を製造する方法において、不純物の活性状態に影響を及ぼす熱工程のうち、最終に行う熱工程を高温短時間アニールとする。
請求項（抜粋）：
不純物濃度が1×1019/cm3 であるN+ 層もしくはP+層を有する半導体装置を製造するに際し、前記不純物の活性状態に影響を及ぼす熱工程のうち、最終に行う熱工程を高温短時間アニールとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (4件)：
H01L 21/265 A ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/26 L ,  H01L 27/08 321 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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