特許

J-GLOBAL ID：200903005798579476

多接合型光電変換装置

発明者： 呉屋 真之 ,  坂井 智嗣 ,  佐竹 宏次 ,  笹川 英四郎 ,  小林 靖之
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (2件)： 藤田 考晴 ,  上田 邦生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-092513
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251914
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】光による劣化を防止しつつ、変換効率の高い多接合型光電変換装置を提供することを目的とする。【解決手段】p型シリコン系半導体の層、i型シリコン系半導体の層及びn型シリコン系半導体の層を積層したpin接合を有する光電変換層を複数積層した多接合型光電変換装置であって、光の入射側に設けられた入射部の光電変換層は、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーボン、およびアモルファスシリコンゲルマニウムからなる群より選択されるいずれかを有し、光の入射側に対して反対側に設けられた底部の光電変換層は、微結晶シリコンゲルマニウムを有する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

p型シリコン系半導体の層、i型シリコン系半導体の層及びn型シリコン系半導体の層を積層したpin接合を有する光電変換層を複数積層した多接合型光電変換装置であって、 光の入射側に設けられた入射部の光電変換層は、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーボン、およびアモルファスシリコンゲルマニウムからなる群より選択されるいずれかを有し、 光の入射側に対して反対側に設けられた底部の光電変換層は、微結晶シリコンゲルマニウムを有する多接合型光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 Y ,  H01L31/04 W

Fターム (18件)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051BA18 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051DA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051GA03 ,  5F051HA20 ,  5F051JA05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• スロットアンテナを有するプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-159508   出願人：株式会社日立製作所
• 光起電力素子の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-090998   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-188774号公報
  

審査官引用 (3件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-207922   出願人：キヤノン株式会社
• 積層型光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-328999   出願人：キヤノン株式会社
• 光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-069190   出願人：三洋電機株式会社