積層型光起電力素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡辺敬介 , 山口芳広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328999
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165394
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】複数のi型半導体層が微結晶シリコンからなる積層型光起電力素子において、光電変換効率が高く、長時間の光照射後の光電変換効率も高い状態に維持できるようにする。【解決手段】光入射側から順に、第一のi型半導体層404が水素化アモルファスシリコンからなり、第二以降のi型半導体層が水素化アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンからなる積層型光起電力素子であって、第二以降のpin素子416,417のうち、i型半導体層が微結晶シリコンであるものを用いて、pin光起電力シングル素子を作製した場合の開放端電圧をVocとし、当該i型半導体層の膜厚をtとすると、Voc/tの値が最も大きいi型半導体層を含むpin素子により、積層型光起電力素子の短絡光電流密度が律速されることを特徴とする。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

基体上に、IV族元素を主成分とした非単結晶からなるp型半導体、i型半導体、n型半導体により形成されたpin接合を有する光起電力素子を複数積層してなる積層型光起電力素子において、光入射側から順に、第一のi型半導体層が水素化アモルファスシリコンからなり、第二以降のi型半導体層が水素化アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンからなる積層型光起電力素子であって、第二以降のpin素子のうち、i型半導体層が微結晶シリコンであるものを用いて、pin光起電力シングル素子を作製した場合の開放端電圧をVocとし、当該i型半導体層の膜厚をtとすると、Voc/tの値が最も大きいi型半導体層を含むpin素子により、積層型光起電力素子の短絡光電流密度が律速されることを特徴とする積層型光起電力素子。

IPC (4件)：

H01L31/04 , C23C16/24 , C23C16/50 , H01L21/205

FI (4件)：

H01L31/04 W , C23C16/24 , C23C16/50 , H01L21/205

Fターム (34件)：

4K030BA31 , 4K030BA53 , 4K030BB04 , 4K030BB12 , 4K030LA11 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA61 , 5F045DP23 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051BA17 , 5F051BA18 , 5F051CA16 , 5F051CA17 , 5F051CB12 , 5F051CB14 , 5F051CB15 , 5F051CB27 , 5F051DA04 , 5F051DA16 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA14

引用特許：

審査官引用 (10件)

積層型光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-044731 出願人：キヤノン株式会社
光電気変換体、建材及び発電装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-056077 出願人：キヤノン株式会社
特開昭60-035584

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Solar Cells, 1983, No.9, P3-12

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