特許

J-GLOBAL ID：200903005809478367

半導体装置および半導体装置用基板

発明者： 須田 亨
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068889
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257240
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子がフリップチップ実装される半導体装置および半導体装置用基板において、半導体素子と基板との隙間を封止するアンダーフィル樹脂が製造時に隙間外に広がるのを容易に防止し、信頼性向上をも達成することができる半導体装置および半導体装置用基板を提供すること。【課題手段】 基板と、基板に実装された半導体チップと、基板と半導体チップとの隙間を充填する樹脂とを有し、基板は、基層と、基層上に形成された導電パターンと、基層上に形成され導電パターンの所定部分を覆うコート剤とを有し、コート剤は、半導体チップの周囲端面に対向して横端面が形成されており、かつ、半導体チップの基板との対向面のなす水準より高い位置までの厚みを有する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板に実装された半導体チップと、前記基板と前記半導体チップとの隙間を充填する樹脂とを有し、前記基板は、基層と、前記基層上に形成された導電パターンと、前記基層上に形成され前記導電パターンの所定部分を覆うコート剤とを有し、前記コート剤は、前記半導体チップの周囲端面に対向して横端面が形成されており、かつ、前記半導体チップの前記基板との対向面のなす水準より高い位置までの厚みを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/28 C

Fターム (8件)：

4M109AA01 ,  4M109BA05 ,  4M109DB08 ,  4M109DB12 ,  4M109DB17 ,  5F044KK02 ,  5F061AA01 ,  5F061BA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-023854   出願人：株式会社村田製作所
• 電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-023855   出願人：株式会社村田製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-215769   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社