特許
J-GLOBAL ID：200903005812320812

半導体装置及びその製造方法

発明者：
岡 秀明

岡 秀明 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266275
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120167
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】高アスペクトのコンタクトホールに対して、低いコンタクト抵抗を実現するためのコンタクト構造及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、該不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、前記開孔部に対応した前記不純物領域の表面に形成されたシリサイド層を少なくとも有し、該シリサイド中のボロン濃度が、膜厚方向の平均値で5×1019(cm-3)以下である。【効果】コンタクト径がサブミクロン以下でアスペクト比が高いコンタクトホールに対して、P+拡散層、N+拡散層共、低抵抗でオーミック性の優れたコンタクト構造を、簡便なプロセスで形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の所定領域に形成された高濃度の不純物を含む不純物領域と、該不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、該開孔部に対応した該不純物領域に形成されたシリサイド層を少なくとも有し、該シリサイド層に含まれる不純物濃度がシリサイド層の膜厚方向の平均値で5×1019cm-3以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90
引用特許：
出願人引用 (24件)
  • 特開昭63-024668
  • 特開平1-231318
  • 特開平4-061323
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審査官引用 (11件)
  • 特開昭63-024668
  • 特開平1-231318
  • 特開平4-061323
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