特許
J-GLOBAL ID：200903005852076175

半導体製造装置用セラミック板

発明者：
伊藤 康隆

伊藤 康隆 について

, 
平松 靖二

平松 靖二 について


出願人/特許権者：
イビデン株式会社

イビデン株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 康男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248821
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130982
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：
【要約】【課題】 軽量で昇温、降温特性に優れるとともに、高温において反りがなく、しかも、大型のシリコンウエハを載置することができ、ホットプレート、静電チャック、ウエハプローバなどの半導体製造装置として最適なセラミック板を提供すること。【解決手段】 直径200mm以上、厚さ8mm未満のセラミック基板であって、その25〜800°Cまでの温度範囲におけるヤング率が250〜450GPaであるセラミック基板の内部または表面に金属または導電性セラミックからなる補強体を設けてなる半導体製造装置用セラミック板。
請求項（抜粋）：
直径200mm以上、厚さ8mm未満のセラミック基板であって、その25〜800°Cまでの温度範囲におけるヤング率が250〜450GPaであるセラミック基板の内部または表面に金属または導電性セラミックからなる補強体を設けてなることを特徴とする半導体製造装置用セラミック板。
IPC (9件)：
C04B 41/87 ,  C04B 35/581 ,  C04B 38/00 303 ,  C04B 41/85 ,  C04B 41/88 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68
FI (9件)：
C04B 41/87 C ,  C04B 38/00 303 Z ,  C04B 41/85 Z ,  C04B 41/88 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 R ,  C04B 35/58 104 Y ,  H01L 21/302 B
引用特許：
審査官引用 (6件)
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