特許
J-GLOBAL ID：200903005862501400
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-013452
公開番号（公開出願番号）：特開2009-176916
出願日： 2008年01月24日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】IGBTを有する半導体装置において、その製造歩留まりを向上させる。【解決手段】シリコン基板1の主面f1上に、ゲート絶縁膜IGを介して形成されたゲート電極EGと、ゲート電極EGを覆うようにして形成された、第1絶縁膜IL1、第2絶縁膜IL2、および、第3絶縁膜IL3からなる層間絶縁膜ILと、主面f1に形成されたエミッタ導体膜EEと、裏面f2に形成されたコレクタ導体膜ECとを有する。層間絶縁膜ILは酸化シリコンを主体とする絶縁膜であり、特に、第2絶縁膜IL2はリンおよびホウ素を含み、第3絶縁膜IL3はリンを含む。更に、第1絶縁膜IL1は、第2絶縁膜IL2および第3絶縁膜IL3よりも、シリコン基板1に対して及ぼす応力が小さい。更に、第2絶縁膜IL2とシリコン基板1の主面f1とは、第1絶縁膜IL1によって隔てられ、互いに接しないようにして形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第1主面と第2主面とを有する、第1導電型の半導体基板と、
(b)前記半導体基板の第1主面に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
(c)前記半導体基板の第1主面において、前記ゲート電極を覆うようにして形成された層間絶縁膜と、
(d)前記半導体基板の第1主面、および、前記層間絶縁膜を覆うようにして形成された第1導体膜と、
(e)前記半導体基板の第2主面を覆うようにして形成された第2導体膜とを有し、
前記層間絶縁膜は、第1絶縁膜、および、前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜を有し、
前記第1絶縁膜は、ノンドープの酸化シリコンからなる絶縁膜であり、
前記第2絶縁膜は、リンを含む酸化シリコンからなる絶縁膜であり、
前記第2絶縁膜と前記半導体基板の第1主面との間には、前記第1絶縁膜が形成されていることで、互いに接する部分を持たないようにして形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/739
H01L29/78 658F
, H01L29/78 655A
