特許
J-GLOBAL ID：200903005952925323
シリコン微小機械構造の製作
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-557865
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521753
出願日： 2002年01月11日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】シリコン微小機械構造を望ましくない電気化学的エッチングから保護し、現況技術の欠点を克服する方法を提供すること。【解決手段】材料および貴金属層(8)を備える微小構造の前記材料を、製造中の望ましくない電気化学的エッチングから保護する方法であって、前記構造上に前記材料よりも低い酸化還元電位を有する犠牲金属層(12)を形成することを含み、前記犠牲金属層(12)が前記貴金属層(8)に電気的に接続される方法。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
微小構造の材料を製造中の望ましくない電気化学的エッチングから保護する方法であって、前記構造が前記材料および貴金属層(8)を備え、前記方法が前記構造上に前記材料よりも低い酸化還元電位を有する犠牲金属層(12)を形成することを含み、前記犠牲金属層(12)が前記貴金属層(8)に電気的に接続される方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
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