特許
J-GLOBAL ID：200903005955296807

半導体不揮発性記憶装置

発明者：
荒瀬 謙士朗

荒瀬 謙士朗 について

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野田 昌敬

野田 昌敬 について

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杉山 寿伸

杉山 寿伸 について

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内貴 唯八

内貴 唯八 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055769
公開番号（公開出願番号）：特開平10-222995
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】高速なデータプログラムが可能な半導体不揮発性記憶装置を実現する。【解決手段】ワード線単位でページデータの読み出しを行い、ページ読み出しデータ内に所定個数以内のエラービットが存在する場合に、エラービットを訂正するエラー訂正手段(20、30)を備え、ワード線単位のページプログラムにおいて、所定回数のプログラム/ベリファイ動作を繰り返し行った後にプログラム未終了メモリセルが存在する場合に、当該プログラム未終了メモリセルの個数をカウント回路40で計数し、当該個数がエラー訂正可能な前記所定個数以内のエラービットである場合に、プログラム未終了メモリセルを残したままデータプログラムを終了し、当該エラービットを前記エラー訂正手段により救済する。したがって、ごくまれに存在する非常にプログラムの遅いメモリセルに律速されることなく、高速にデータプログラムが可能となる。
請求項（抜粋）：
電気的にデータの処理が行われるメモリセルがマトリクス配置された半導体不揮発性記憶装置であって、複数ビットデータ内に所定個数以内のエラービットが存在する場合に当該エラービットを訂正するエラー訂正手段と、前記複数ビットデータを単位としたデータの処理を当該複数単位のメモリセルに対して行い、データの処理後に当該データ処理未終了メモリセルの個数を計数する手段と、前記データ処理未終了メモリセルの個数が前記所定個数以内のエラービットである場合に、当該データ処理未終了メモリセルを残したままデータの処理を終了し、当該エラービットを前記エラー訂正手段に救済させる手段とを備えた半導体不揮発性記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/04 ,  G11C 29/00 631
FI (3件)：
G11C 17/00 639 C ,  G11C 29/00 631 Q ,  G11C 17/00 622 E
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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