特許
J-GLOBAL ID：200903005995669541

ショットキー障壁トランジスタ及びその製造方法

発明者：
チョン ウソク

チョン ウソク について

, 
リ ソンジェ

リ ソンジェ について

, 
ジァン ムンギュ

ジァン ムンギュ について


出願人/特許権者：
韓國電子通信研究院

韓國電子通信研究院 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-435892
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319963
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】 選択的なウェットエッチングの難しさ及びエッチングダメージが除去できて最適の電気的特性を得ること。【解決手段】 基板上1に、ゲート絶縁膜30とゲート60aとゲート側壁のスペーサ80aを形成した後、選択的シリコン成長を適用してゲート上部に多結晶シリコン層100を成長させ、基板上1には単結晶シリコン層を成長させるショットキー障壁トランジスタの製造方法である。多結晶シリコン層100及び単結晶シリコン層上に金属を蒸着した後、多結晶シリコン層及び単結晶シリコン層と金属とを反応させて自己整列的にシリサイド120aを形成する。このような方法によれば、シリサイド反応後に未反応金属を除去する選択的ウェットエッチング工程を経ずにショットキー障壁トランジスタが製造できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にゲート絶縁膜を介在して形成されたゲートと、 前記ゲート両側の上部エッジと離隔されて形成されたスペーサと、 前記ゲート両側基板に形成されたエレベーテッドシリサイドソース/ドレインと、 前記スペーサ上に前記ゲート両側の上部エッジと前記ゲート上部とを取り囲む多結晶シリコン層と を備えたことを特徴とするショットキー障壁トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872
FI (8件)：
H01L29/78 617J ,  H01L29/48 F ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 616M ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 617L
Fターム (111件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104BB39 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE33 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK37 ,  5F110HK40 ,  5F110HM02 ,  5F110HM07 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA13 ,  5F140AA21 ,  5F140AA26 ,  5F140AA40 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG29 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG49 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH06 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK09 ,  5F140BK18 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CF03 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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