特許
J-GLOBAL ID：200903006006509570
スパッタリングターゲットの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368004
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181832
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：
【要約】【課題】 Bを必須成分として含有する金属系スパッタリングターゲットを圧延工程によって所定厚まで成形することが可能となる効果的なスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。【解決手段】 Bを必須成分として含有するスパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、得られた鋳造インゴットに対してアニーリング処理を行ったのち、これを所定形状に圧延する工程を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
請求項（抜粋）：
Bを必須成分として含有するスパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成し、得られた鋳造インゴットに対してアニーリング処理を行ったのち、これを所定形状に圧延する工程を含むことを特徴とする、スパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C22C 19/07
, H01F 41/18
, H01L 21/285
C23C 14/34 A
, C22C 19/07 M
, H01F 41/18
, H01L 21/285 S
