特許
J-GLOBAL ID：200903006028011958
実験チップ及び実験チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-009504
公開番号（公開出願番号）：特開2004-219370
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】半導体基板を用いて実験チップを製造する。【解決手段】シリコン基板20の表面にエッチングによりキャピラリチャンネル及びリザーバ12A、12Bとなる溝22を形成する。溝22が形成されたシリコン基板20の表面にスパッタリングによりSiO2の薄膜層23を形成する。溝22のうちリザーバ12A、12Bの底面に対応する位置にAuの薄膜電極14A、14Bを形成する。リザーバの開口部を除くチップ表面及び溝22のうちキャピラリチャンネルの上部に対応する領域25CにSiO2の薄膜層25を形成する。チップ表面のリザーバ開口部に隣接してAu薄膜電極15A、15Bを形成する。Au薄膜電極14A、15Aと14B、15Bをボンディングワイヤで接続する。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成される実験チップであって、
前記半導体基板の表面に流路を形成するために形成される溝と、
前記溝を絶縁体で被膜し前記流路を形成する下部薄膜層と、
前記流路の上部を覆い、赤外線から紫外線にかけたいずれかの波長域の電磁波を透過する二酸化珪素またはシリコンナイトライドからなる上部薄膜層と
を備えることを特徴とする実験チップ。
IPC (3件)：
G01N27/447
, G01N27/30
, G01N37/00
G01N27/26 301C
, G01N27/30 B
, G01N37/00 101
, G01N27/26 331E
, G01N27/26 331K
