特許
J-GLOBAL ID：200903006036360040

半導体基板の化学機械研磨方法および化学機械研磨用水系分散体

発明者：
金野 智久

金野 智久 について

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元成 正之

元成 正之 について

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服部 雅幸

服部 雅幸 について

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川橋 信夫

川橋 信夫 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-293223
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289055
出願日： 2002年10月07日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 機械的強度が小さい低誘電絶縁膜であっても、スクラッチの発生や外周部における剥がれを大幅に低減可能であり、かつ配線材料たる金属膜の研磨速度に優れた半導体基板の化学機械研磨方法およびそのために用いられる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。【解決手段】 化学機械研磨方法は、(1)砥粒および(2)2つ以上のカルボキシル基を有する複素環化合物またはその無水物が配合された化学機械研磨用水系分散体を使用し、定盤回転数が50〜200rpm、加圧ヘッドの押し付け圧が700〜18,000Paの条件で被研磨面を研磨することを特徴とする。化学機械研磨用水系分散体は、(1)砥粒および(2)2つ以上のカルボキシル基を有する複素環化合物またはその無水物が配合され、定盤回転数が50〜200rpm、加圧ヘッドの押し付け圧が700〜18,000Paの条件で被研磨面を研磨するために用いるためのものである。
請求項（抜粋）：
(1)砥粒および(2)2つ以上のカルボキシル基を有する複素環化合物またはその無水物が配合された化学機械研磨用水系分散体を使用し、定盤回転数が50〜200rpm、加圧ヘッドの押し付け圧が700〜18,000Paの条件で被研磨面を研磨することを特徴とする、半導体基板の化学機械研磨方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14
FI (6件)：
H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 R ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 金属膜用研磨剤
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-290520   出願人：株式会社トクヤマ
  • 国際公開第00/13217号パンフレット
審査官引用 (5件)
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