CMP研磨剤及び基板の研磨方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172817
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007059
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP技術において、研磨を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤および研磨法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、両イオン性の水溶性有機低分子から選ばれた低分子添加剤並びに水を含むCMP研磨剤。本発明のCMP研磨剤は、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー並びに添加剤と水を含む添加液からなり保存安定性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、分散剤、両イオン性の水溶性有機低分子から選ばれた低分子添加剤及び水を含むCMP研磨剤。

IPC (7件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C01F 17/00 , C09C 1/68 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (7件)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 X , B24B 37/00 H , C01F 17/00 A , C09C 1/68 , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z

Fターム (25件)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA17 , 4G076AA02 , 4G076AB09 , 4G076BA39 , 4G076BA46 , 4G076BB08 , 4G076BC08 , 4G076CA05 , 4G076CA15 , 4G076CA26 , 4G076DA30 , 4J037AA08 , 4J037CB09 , 4J037CB16 , 4J037DD24 , 4J037EE08 , 4J037EE28 , 4J037EE43 , 4J037FF15 , 4J037FF23 , 4J037FF30

引用特許：

審査官引用 (5件)

ガラス研磨用研磨材組成物およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-078943 出願人：昭和電工株式会社
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-021075 出願人：株式会社東芝
銅系基板に有用な化学的・機械的研磨用スラリー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-338809 出願人：キャボットコーポレイション

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