特許
J-GLOBAL ID：200903006043796937

制御可能な伝導デバイス

発明者：
中里 和郎

中里 和郎 について

, 
伊藤 清男

伊藤 清男 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113020
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040810
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】改良された低減もれ電流特性を有する制御可能な伝導デバイスを提供する。【解決手段】トランジスタは、両者間に電荷キャリアのための伝導経路Pが延びるソース領域およびドレイン領域5,2と、この伝導経路に沿った電荷キャリア流を制御するゲート4と、伝導経路内に多重トンネル接合構成をもたらす多層構造3とを備え、多層構造3の層は伝導経路を横切る方向に延び、その結果、トランジスタがオフ状態にあるとき多重トンネル接合構成により電流漏れが阻止される。垂直およびラテラルのトランジスタ構造を、相補対としてのトランジスタの使用、およびランダムアクセスメモリセルのためのトランジスタの使用とともに説明する。
請求項（抜粋）：
ソース領域およびドレイン領域と、このソース領域およびドレイン領域間の電荷キャリアのための伝導経路と、この伝導経路に沿った電荷キャリア流を制御するためのゲートと、伝導経路内に多重トンネル接合構成をもたらす多重層構造とを備え、前記伝導経路は多重層構造の層を横切る方向に延びる、制御可能な伝導デバイス。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (7件)：
H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/66 ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 626 A ,  H01L 27/10 671 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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