特許
J-GLOBAL ID：200903006082696230

光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法

発明者：
大越 昌幸

大越 昌幸 について

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井上 成美

井上 成美 について

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高尾 寛弘

高尾 寛弘 について


出願人/特許権者：
防衛庁技術研究本部長

防衛庁技術研究本部長 について


代理人 (1件)： 村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-014439
公開番号（公開出願番号）：特開2005-206873
出願日： 2004年01月22日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 電子デバイスの絶縁材料や光学材料として優れた性能を有するフッ素添加酸化ケイ素膜を、外部から気体を導入することなく、室温で任意の基板上に形成可能とする。【解決手段】 真空容器1内にSi-O-Si結合を含む化合物として有機ポリシロキサン10とC-F結合を含む化合物としてポリテトラフルオロエチレン11を配置するとともに基体としてのケイ素基板20を配置し、波長170nm以下の光を含む光源30より有機ポリシロキサン10及びポリテトラフルオロエチレン11に光を照射するとともにケイ素基板20にも照射する。これにより、有機ポリシロキサン10とポリテトラフルオロエチレン11の露光部分から気体が放出され、この気体を利用して前記光の照射を受けるケイ素基板20上にフッ素添加酸化ケイ素膜を化学蒸着する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
減圧した容器内に設置したSi-O-Si結合を含む化合物とC-F結合を含む化合物を、波長170nm以下の光を含む光源により露光し、前記化合物から放出される気体を利用して、フッ素が添加された酸化ケイ素膜を化学蒸着することを特徴とするフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。
IPC (4件)：
C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  H01L21/316
FI (4件)：
C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  H01L21/316 X
Fターム (19件)：
4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030BA44 ,  4K030BA61 ,  4K030EA01 ,  4K030FA08 ,  4K030JA20 ,  4K030LA12 ,  4K030LA18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF05 ,  5F058BF17 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF78 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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