酸化ケイ素系皮膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大川宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250178
公開番号（公開出願番号）：特開平10-096083
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】ケイ素と酸素を高純度で含み、透明性、耐摩耗性、耐熱性、耐食性および電気絶縁性に優れる酸化ケイ素系皮膜を低温でかつ大きな成膜速度で形成できる形成方法を提供する。【解決手段】本発明の酸化ケイ素系皮膜の形成方法は、酸素を含む有機ケイ素化合物を低温プラズマを用いて気相中で化学反応させ、該化学反応により得られる反応物を基材上に堆積させて酸素とケイ素を含む酸化ケイ素系皮膜を形成する方法であって、該反応物に紫外線を照射しながら該反応物を堆積させることを特徴とする。この酸化ケイ素系皮膜の形成方法により、耐摩耗性、耐熱性、耐食性および絶縁性等の低い基材に優れた特性を付与することができる。また、皮膜の低温形成が可能であるため、耐熱性の低い基材を用いた場合でも熱による品質の変性が生じない。さらに、成膜速度を大きくすることができるため、短時間で形成することができる。

請求項（抜粋）：

酸素を含む有機ケイ素化合物を低温プラズマを用いて気相中で化学反応させ、該化学反応により得られる反応物を基材上に堆積させてケイ素と酸素を含む酸化ケイ素系皮膜を形成する方法であって、該反応物に紫外線を照射しながら該反応物を堆積させることを特徴とする酸化ケイ素系皮膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/50 , B01J 19/08 , B01J 19/12 , C01B 33/12 , C23C 16/48

FI (5件)：

C23C 16/50 , B01J 19/08 H , B01J 19/12 G , C01B 33/12 D , C23C 16/48

引用特許：

審査官引用 (7件)

撥水性皮膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-049148 出願人：株式会社豊田自動織機製作所
特開昭58-003636
TiN薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-337986 出願人：日電アネルバ株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

高周波プラズマCVDによる酸化シリコン膜作製における紫外線照射効果

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