特許
J-GLOBAL ID：200903038446271183

レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置

発明者：
大越 昌幸

大越 昌幸 について

, 
井上 成美

井上 成美 について

, 
倉松 雅章

倉松 雅章 について


出願人/特許権者：
防衛庁技術研究本部長

防衛庁技術研究本部長 について


代理人 (1件)： 村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-046866
公開番号（公開出願番号）：特開2002-249869
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】 透明度の高い良質のSiO2膜を室温でレーザーアブレーションを利用して形成する。【解決手段】 減圧された酸素ガス雰囲気の成膜容器1内にSi-O-Si結合を含む化合物のターゲット2及び該ターゲットに対向した基板3を配し、前記成膜容器1に設けられた入射窓4を通してレーザー光を前記ターゲット2に照射し、レーザーアブレーションを利用してSiO2膜を室温で形成する。前記レーザー光の波長や照射エネルギー密度によってターゲットの開裂状態を制御でき、紫外可視透過性や電気絶縁性に優れたSiO2膜を室温で成膜できる。
請求項（抜粋）：
Si-O-Si結合を含む化合物にレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上にSiO2膜を形成することを特徴とするレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法。
IPC (6件)：
C23C 14/28 ,  C01B 33/12 ,  C23C 14/10 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/363
FI (6件)：
C23C 14/28 ,  C01B 33/12 Z ,  C23C 14/10 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/363
Fターム (43件)：
4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH13 ,  4G072HH30 ,  4G072MM01 ,  4G072NN30 ,  4G072RR11 ,  4G072RR26 ,  4K029AA04 ,  4K029AA11 ,  4K029BA46 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029DB15 ,  4K029DB20 ,  4K029EA00 ,  4K029EA03 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF17 ,  5F058BF29 ,  5F103AA10 ,  5F103BB01 ,  5F103BB23 ,  5F103BB27 ,  5F103DD27 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM