二重仕事関数金属ゲート構造体及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-342702
公開番号（公開出願番号）：特開2006-157015
出願日： 2005年11月28日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】半導体素子及びその製造方法を開示する。【解決手段】この半導体素子は単一金属膜をフッ素及び/または炭素で選択的にドーピングすることによって形成される二重仕事関数の金属ゲート電極を有する。【選択図】図5D

請求項（抜粋）：

第1仕事関数を有する金属膜を形成し、前記金属膜の選択された部分をフッ素(F)でドーピングして前記金属膜の前記選択された部分の仕事関数を調節することを含み、その結果で前記選択された部分は前記第1仕事関数よりも小さい第2仕事関数を有することを特徴とする製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L27/08 321D , H01L21/28 B , H01L21/28 301R , H01L21/28 301S

Fターム (40件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB17 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD56 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD88 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA23

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許第6,130,123号明細書
米国特許第6,483,151号明細書
米国特許第6,815,285号明細書

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審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-072958 出願人：日本電気株式会社
イオン注入装置、イオン発生装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-105528 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-374679 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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