特許
J-GLOBAL ID：200903025799067640

半導体装置及びその製造方法

発明者：
吉原 拓也

吉原 拓也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-072958
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273350
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 N型MISFET及びP型MISFETの双方のしきい値電圧が低く、製造が容易で製造コストが低くて歩留が高く、ゲート絶縁膜の信頼性が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の表面におけるN型MISFET形成領域11及びP型MISFET形成領域12にゲート絶縁膜3を設け、その上にメタルゲート電極4及び5を設ける。メタルゲート電極4はTiCoN膜により形成し、その仕事関数はN型MISFETのゲート電極材料に適した4.0〜4.8eVとする。また、メタルゲート電極5は、メタルゲート電極4を形成するTiCoN膜に酸素を1013乃至1014(個/cm2)イオン注入して、その仕事関数を0.2乃至0.8eV程度高くした部分により形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極は、金属、合金又は金属窒化物の膜に、酸素又はフッ素が添加されたものにより形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (4件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/58 G
Fターム (77件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB29 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD66 ,  4M104EE03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F048AA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BG14 ,  5F048DA27 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE06 ,  5F140BF01 ,  5F140BF06 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF30 ,  5F140BF33 ,  5F140BF34 ,  5F140BF38 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG43 ,  5F140BG51 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH49 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04
引用特許：
審査官引用 (12件)
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