特許
J-GLOBAL ID：200903006115872978

光電変換素子、光センサアレイ及び放射線画像検出器

発明者：
泉 倫生

泉 倫生 について

, 
増田 敏

増田 敏 について

, 
石田 耕一

石田 耕一 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-319132
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135479
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】複数の光電変換層を有する光電変換素子において、光電変換効率を高効率化し、大きな光電流を取り出せるようにする。【解決手段】光電変換素子は、光入射側からZ方向へ順に、所定の第1波長帯域λB1に光吸収領域を備える第1光電変換層101と、第1波長帯域λB1と一部重複する第2波長帯域λB2に光吸収領域を備える第2光電変換層102とが積層されてなる。第1、第2光電変換層101、102は共役系高分子で構成され、分子軸を揃える配向処理が互いに異なる方向に施されている。すなわち、第1光電変換層101には、X方向(基板面内(Z方向と直交する平面内)方向における所定の第1方向)に配向処理が与えられている。一方、第2光電変換層102には、Y方向(第2方向)に配向処理が与えられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の光電変換層が積層されてなる光電変換素子において、 所定の第1波長帯域に光吸収領域を備え、その面内方向における所定の第1方向に配向処理が与えられた第1光電変換層と、 前記第1波長帯域と一部重複する第2波長帯域に光吸収領域を備え、その面内方向であって前記第1方向とは異なる第2方向に配向処理が与えられた第2光電変換層と、 を含むことを特徴とする光電変換素子。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H01L 51/42 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32
FI (4件)：
H01L27/14 C ,  H01L31/08 T ,  H01L31/00 A ,  H04N5/32
Fターム (26件)：
4M118BA05 ,  4M118CA01 ,  4M118CA14 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118GC07 ,  5C024AX11 ,  5C024CX41 ,  5C024GX07 ,  5F088AB11 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088FA03 ,  5F088FA04 ,  5F088GA02 ,  5F088JA17 ,  5F088LA08
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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