特許
J-GLOBAL ID：200903037443918686

撮像素子、その電場印加方法および印加した素子

発明者：
日置 孝徳

日置 孝徳 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-042356
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303266
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】効率の高い光電変換膜含有撮像素子を提供する。【解決手段】1対の電極間に、バルクヘテロ接合構造層を中間層とする光電変換膜(感光層)、又はp型半導体の層とn型半導体の層で形成されるpn接合層の繰り返し構造の数を2以上有する構造を持つ光電変換膜を含有する撮像素子。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
1対の電極間に、p型半導体層とn型半導体層とを有し、該p型半導体とn型半導体の少なくともいずれかが有機半導体であり、かつ、それらの半導体層の間に、該p型半導体およびn型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有する光電変換膜(感光層)を含有することを特徴とする撮像素子。
IPC (3件)：
H01L27/146 ,  H01L31/04 ,  H04N5/335
FI (3件)：
H01L27/14 E ,  H04N5/335 U ,  H01L31/04 D
Fターム (24件)：
4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA14 ,  4M118CA15 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118GC07 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024GX03 ,  5F051AA11 ,  5F051AA12 ,  5F051BA05 ,  5F051DA15 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051HA01 ,  5F051HA14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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