特許

J-GLOBAL ID：200903006119254837

強誘電体薄膜およびその製造方法

発明者： 小岩 一郎 ,  金原 隆雄 ,  加藤 博代 ,  山根 治起 ,  逢坂 哲彌 ,  川上 敦 ,  澤田 佳宏
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社 ,  逢坂 哲彌 ,  東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228895
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058788
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 結晶化のための熱処理時の温度を低減する。【解決手段】 下地10の上に強誘電体材料を堆積して予備強誘電体薄膜12aを形成する。強誘電体材料には、Zrを添加しておく。結晶化アニール処理を行って予備強誘電体薄膜を結晶化させて強誘電体薄膜12bを得る。4価の金属であるZrを加えたので、フルオライト構造の形成およびBi層状構造の形成が通常より低温で行われる。

請求項（抜粋）：

強誘電体材料に熱処理が施され、フルオライト構造を経て結晶化した強誘電体薄膜であって、前記強誘電体材料に4価の金属が添加されていることを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 29/00 ,  C01G 35/00 ,  H01L 27/10 451

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  C01G 29/00 ,  C01G 35/00 C ,  H01L 27/10 451

Fターム (13件)：

4G048AA04 ,  4G048AA05 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  5F083FR01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 層状強誘電体薄膜及びその形成方法、並びに半導体メモリセル用キャパシタ及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-341305   出願人：ソニー株式会社
• 層状超格子物質を作製し、それを含む電子デバイスを作製する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-511140   出願人：シメトリックス・コーポレーション, オリンパス光学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• 低酸素濃度熱処理によるSrBi2Ta2O9薄膜の作製
• 低酸素濃度熱処理によるSrBi2Ta2O9薄膜の作製