プラズマ発生装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159190
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335315
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】良質のプラズマを供給。【解決手段】プラズマ発生空間22がプラズマ処理空間13に隣接し且つ連通しているプラズマ発生装置において、プラズマ発生空間22が分散等して形成され、且つ交番電界・磁界をプラズマ処理空間13に印加する第1印加回路31、及びこの回路31から独立して交番電界・磁界をプラズマ発生空間22に印加する第2印加回路32が設けられ、この第2印加回路32は出力が所定周期で強弱Pc,Pd変化するとともにその強弱の時間割合Pd:Peが可変制御Paしうる。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れるうえ、プラズマ成分比率の制御性がよいことに加えて、イオン種の直進速度も独立に制御可能となる。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に対向電極となる一対の平行平板を具えこれら平行平板間にプラズマ処理空間を形成してエッチング処理を行うプラズマ発生装置において、前記一対の平行平板のうち一方の平板に又はその隣接機構部に、前記プラズマ処理空間に隣接し且つ連通したプラズマ発生空間が分散等して形成され、且つ、プラズマの発生または強化に寄与する交番電界または交番磁界を前記プラズマ処理空間に印加する第1印加回路、及びこの第1印加回路から独立してプラズマの発生および強化に寄与する交番電界または交番磁界を前記プラズマ発生空間に印加する第2印加回路が設けられ、この第2印加回路は出力が所定周期で強弱変化するとともにその強弱の時間割合が可変制御しうるものであることを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

引用特許：

出願人引用 (3件)

高周波プラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-215146 出願人：株式会社アドテック
半導体装置の製造方法と製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-265749 出願人：富士通株式会社
半導体加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-186837 出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

高周波プラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-215146 出願人：株式会社アドテック
半導体装置の製造方法と製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-265749 出願人：富士通株式会社
半導体加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-186837 出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社

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