封止剤、半導体等の封止方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-075292
公開番号（公開出願番号）：特開2003-268239
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】高い接着性を示し、低粘度、低温速硬化性であり実用性の高い封止剤、それによって電子部品、電気回路、電気接点あるいは半導体を封止する電子部品、電気回路あるいは半導体等の封止方法あるいは半導体装置の製造方法、およびそれによって半導体が封止されてなる半導体装置を提供すること。【解決手段】(A)SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物、(D)接着付与剤、を必須成分として含有することを特徴とする封止剤とすること。

請求項（抜粋）：

(A)SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、(D)接着付与剤、を必須成分として含有することを特徴とする封止剤。

IPC (6件)：

C08L 83/05 , C08K 5/00 , C08L 63/00 , C08L101/00 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (5件)：

C08L 83/05 , C08K 5/00 , C08L 63/00 A , C08L101/00 , H01L 23/30 R

Fターム (33件)：

4J002AF022 , 4J002BK002 , 4J002CC032 , 4J002CD002 , 4J002CP041 , 4J002DA067 , 4J002DE197 , 4J002ED056 , 4J002EF019 , 4J002EF069 , 4J002EF119 , 4J002EF129 , 4J002EH076 , 4J002EH106 , 4J002EU196 , 4J002EY018 , 4J002EZ007 , 4J002FD149 , 4J002FD342 , 4J002GQ01 , 4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA04 , 4M109EA02 , 4M109EB02 , 4M109EB04 , 4M109EB06 , 4M109EB07 , 4M109EB08 , 4M109EB09 , 4M109EB11 , 4M109EB18 , 4M109EC05

引用特許：

審査官引用 (8件)

硬化性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-293632 出願人：鐘淵化学工業株式会社
硬化性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-293631 出願人：鐘淵化学工業株式会社
電解コンデンサ封口体用硬化性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-201811 出願人：鐘淵化学工業株式会社

全件表示

前のページに戻る