特許
J-GLOBAL ID:200903006225847227
シリカ層、及びシリカ層を用いた反射防止フィルム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石川 泰男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-298218
公開番号(公開出願番号):特開2002-189102
出願日: 2001年09月27日
公開日(公表日): 2002年07月05日
要約:
【要約】【課題】 反射防止フィルムの反射防止積層体に用いられる薄層において、従来から最外層として用いられているシリカ層と同一の原料である酸化ケイ素によって形成することができ、生産性の高いシリカ層、および当該シリカ層を用いた反射防止フィルムを提供することを目的とする。【解決手段】 シリカ層の屈折率を1.55以上2.50以下(λ=550nm)とし、層の組成をSiOxCy(x=0.5〜1.7、y=0.2〜2.0)とし、消衰係数が0.018(λ=550nm)以下とする。また当該シリカ層を用いて反射防止フィルムをプラズマCVD法により製造する。
請求項(抜粋):
屈折率が1.55以上2.50以下(λ=550nm)であって、層の組成がSiOxCy(x=0.5〜1.7、y=0.2〜2.0)であり、消衰係数が0.018(λ=550nm)以下であることを特徴とするシリカ層。
IPC (5件):
G02B 1/11
, B32B 7/02 103
, B32B 9/00
, C23C 16/42
, G09F 9/00 313
FI (5件):
B32B 7/02 103
, B32B 9/00 A
, C23C 16/42
, G09F 9/00 313
, G02B 1/10 A
Fターム (34件):
2K009AA06
, 2K009AA07
, 2K009AA15
, 2K009BB24
, 2K009BB28
, 2K009CC03
, 2K009CC24
, 2K009CC42
, 2K009DD02
, 2K009DD04
, 2K009DD09
, 4F100AA20B
, 4F100AA20C
, 4F100AT00A
, 4F100BA03
, 4F100BA13
, 4F100BA26
, 4F100GB41
, 4F100JN06
, 4F100JN18B
, 4F100YY00B
, 4K030AA09
, 4K030BA29
, 4K030BA35
, 4K030BA44
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030FA01
, 4K030LA11
, 5G435AA00
, 5G435AA17
, 5G435HH02
, 5G435HH03
, 5G435KK07
引用特許:
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