スパッタ反応装置内で金属バリアを形成するために特にマルチステッププロセスで使用される可変四重電磁石アレー

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：長谷川芳樹 , 山田行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-515204
公開番号（公開出願番号）：特表2008-500457
出願日： 2005年05月20日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

スパッタチャンバ(70)及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー(72)はチャンバ内のRFコイル(46)の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ(32)上にスパッタするためにスパッタターゲット(38)が給電されるスパッタ堆積モードとRFコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のRFコイルにおいては、コイルにDCバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

真空チャンバの中心軸に対して垂直な面内に配設された基板支持体を有するプラズマ処理反応装置における、前記中心軸を中心に配置された個別に制御可能な電磁石コイルのアレーであって、コイルのうちの少なくとも2つが中心軸から異なる半径で配設されているアレー(array)。

IPC (6件)：

C23C 14/34 , H01L 21/285 , H01L 21/768 , H01L 21/28 , H05H 1/46 , H05H 1/24

FI (7件)：

C23C14/34 T , C23C14/34 S , H01L21/285 S , H01L21/90 A , H01L21/28 301R , H05H1/46 L , H05H1/24

Fターム (51件)：

4K029AA24 , 4K029BA16 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029CA13 , 4K029DA01 , 4K029DC26 , 4K029DC34 , 4K029DC45 , 4K029DC46 , 4K029EA07 , 4K029EA09 , 4K029GA02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD42 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033QQ08 , 5F033QQ12 , 5F033QQ48

引用特許：

出願人引用 (4件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-266717 出願人：株式会社東芝
磁気中性線放電プラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-289942 出願人：日本真空技術株式会社
樹脂充填物の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-148445 出願人：三菱重工業株式会社

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審査官引用 (5件)

特開平2-224239
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-266717 出願人：株式会社東芝
磁気中性線放電プラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-289942 出願人：日本真空技術株式会社

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