特許
J-GLOBAL ID：200903006280103466
窒化物半導体基板および窒化物半導体基板の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-345910
公開番号（公開出願番号）：特開2005-112641
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 転位密度の低いGaN薄膜、InGaN薄膜、AlGaN薄膜などの窒化物系半導体薄膜をエピ成長させることができ、低コストの窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】 C面を表面に有する窒化物半導体基板の表面をラッピングによって面粗度をRms5nm〜200nmに仕上げるようにした。ラッピング時間が大幅に低減され低コストになる。面粗度が大きくて数多くの凹部を含み、凹部から斜め成長する結晶が転位を面と面の境界へ集め、境界から凹部の底へ移動させることによって転位を凹部底へ集結させることによってエピ成長層の転位密度を減少させる。 基板の面粗度が大きいからエピ成長層のモーフォロジーは悪いが、転位密度は低くなる。デバイス特性に大きく影響する転位密度を減らすことができ低コストで有用な基板となる。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面の面粗度がRms5nm〜200nmであることを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB10
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077ED05
, 4G077EG12
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TK11
, 5F052DA04
, 5F052JA07
, 5F052KA05
