特許
J-GLOBAL ID：200903081338214966
埋込みモット材料酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタを製作する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-065312
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294796
出願日： 2000年03月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 埋込みモット絶縁酸化物チャネルを有するFETの構造、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 埋込みモット絶縁酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタの構造およびこれを形成する方法は、基板の上にソース電極およびドレイン電極を堆積させること、基板および電極の上にモット転移チャネル層を形成すること、モット転移チャネル層の上に絶縁体層を形成すること、絶縁体層を介してソース・コンタクトおよびドレイン・コンタクトを形成する(ソース・コンタクトおよびドレイン・コンタクトがモット転移チャネル層に電気的に接続されるようにする)こと、ならびにソース・コンタクトとドレイン・コンタクトの間の絶縁体層の上にゲート電極を形成することを含む。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタ・チップを製造する方法であって、基板の上にモット転移チャネル層を形成するステップと、前記モット転移チャネル層の上に絶縁体層を形成するステップと、前記絶縁体層を介して、ソース・コンタクトおよびドレイン・コンタクトを、前記モット転移チャネル層と電気的に接触するように形成するステップと、前記ソース・コンタクトとドレイン・コンタクトの間の前記絶縁体層の上にゲート電極を形成するステップとを含む方法。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L 29/78 622
, H01L 29/78 301 J
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 626 C
