特許
J-GLOBAL ID:200903006384159293
ケミカルメカニカル研磨パッド
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
津国 肇
, 束田 幸四郎
, 齋藤 房幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-017059
公開番号(公開出願番号):特開2008-188757
出願日: 2008年01月29日
公開日(公表日): 2008年08月21日
要約:
【課題】 半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドである。【解決手段】 研磨パッドは、少なくとも4,000psi(27.6MPa)のバルク極限引張り強さ及び独立気泡孔を含むポリマーマトリックスを有する。独立気泡孔は、1〜50μmの平均直径を有し、研磨パッドの1〜40容量%を構成する。パッドテキスチャは、ポリマーマトリックスの固有多孔性の結果として1〜10μmの指数崩壊定数τを有し、砥粒を用いて定期的又は連続的なコンディショニングを施すことによって発現する表面テキスチャを有する。表面テキスチャは、τの値以下である特徴的な半値半幅W1/2を有する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、少なくとも4,000psi(27.6MPa)のバルク極限引張り強さ、研磨面及びポリマーマトリックスを有し、前記ポリマーマトリックスが独立気泡孔を有するものであり、前記研磨面が開放孔を有するものであり、前記独立気泡孔が、1〜50μmの平均直径を有し、前記研磨面よりも下の場所で研磨パッドの1〜40容量%を構成するものであり、1〜10μmの指数崩壊定数τ、及び砥粒を用いて定期的又は連続的なコンディショニングを施すことによって発現する、τの値以下である特徴的な半値半幅W1/2を有するテキスチャを特徴とする研磨パッド。
IPC (5件):
B24B 37/00
, H01L 21/304
, C08G 18/00
, C08G 18/32
, C08G 18/10
FI (6件):
B24B37/00 L
, B24B37/00 P
, H01L21/304 622F
, C08G18/00
, C08G18/32 F
, C08G18/10
Fターム (31件):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CB01
, 3C058DA12
, 3C058DA17
, 4J034BA08
, 4J034CA15
, 4J034CB03
, 4J034CC12
, 4J034CC61
, 4J034CC67
, 4J034DA01
, 4J034DB04
, 4J034DF01
, 4J034DF14
, 4J034DG04
, 4J034DG06
, 4J034HA01
, 4J034HA07
, 4J034HC12
, 4J034HC13
, 4J034HC61
, 4J034HC64
, 4J034HC67
, 4J034HC71
, 4J034JA42
, 4J034MA21
, 4J034NA01
, 4J034QB14
, 4J034QC01
, 4J034RA19
引用特許:
出願人引用 (3件)
-
研磨パッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-295816
出願人:ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド
-
研磨パッド装置及び方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2006-503859
出願人:ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド
-
改良研磨パッド及びこれに関連する方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願平10-542929
出願人:ローデルホールディングスインコーポレイテッド
審査官引用 (3件)
-
研磨パッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-295816
出願人:ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド
-
研磨パッド装置及び方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2006-503859
出願人:ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズシーエムピーホウルディングスインコーポレイテッド
-
改良研磨パッド及びこれに関連する方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願平10-542929
出願人:ローデルホールディングスインコーポレイテッド
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