特許
J-GLOBAL ID：200903006415582726

光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲット

発明者：
桑野 勝雄

桑野 勝雄 について

, 
高見 英生

高見 英生 について


出願人/特許権者：
株式会社日鉱マテリアルズ

株式会社日鉱マテリアルズ について


代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188104
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011615
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：
【要約】【課題】 パーティクルの発生を著しく減少させ、スパッタリングの中断または中止の回数を減らして生産効率を上げ、誘電体保護層を得ることができる光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲットを得る。【解決手段】 光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲット保護膜用材料をZnS-SiO2-ZnOの三成分系材料から構成し、特にZnS-SiO2-ZnOの三成分系材料において、ZnS、SiO2、ZnOのモル比を、それぞれ図1に示す80:10:10(A点)、47.5:5:47.5(B点)、25:25:50(C点)、5:47.5:47.5(D点)、25:50:25(E点)、47.5:47.5:5(F点)であるA〜Fで囲まれる範囲とするZnS-SiO2-ZnOの三成分系材料からなる光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
ZnS-SiO2-ZnOの三成分系材料からなることを特徴とする光ディスク保護膜形成スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
C23C 14/34 ,  G11B 7/26
FI (2件)：
C23C 14/34 A ,  G11B 7/26
Fターム (8件)：
4K029BA50 ,  4K029BD00 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE09 ,  5D121EE14
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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