特許
J-GLOBAL ID：200903006444999903
静電容量型半導体物理量センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
板谷 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-010267
公開番号（公開出願番号）：特開2006-200920
出願日： 2005年01月18日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】静電容量型半導体物理量センサ及びその製造方法において、絶縁基板と半導体基板とを陽極接合するときに絶縁基板側の固定電極及び感度調整用電極と半導体基板側の可動電極とを同電位として放電が生じないようにし、接合ボイドの発生やセンサチップの大型化を招くことなく、高い接合強度と所望のセンサ特性を得ると共に感度調整を可能とする。【解決手段】ガラス基板2(絶縁基板)の接合面側には固定電極7及び感度調整用電極75が設けられ、シリコン基板1(半導体基板)の接合面側には可動電極が設けられている。陽極接合前に固定電極7と可動電極を短絡する同電位配線70、及び、固定電極7と感度調整用電極75を接続する電極面積調整配線76を、ガラス基板2の接合面側に形成しておき、陽極接合後に、同電位配線70及び電極面積調整配線76を切断する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁基板と半導体基板の互いに対向する周辺領域(接合領域という)を陽極接合のために接触させるとともに、両基板間に陽極接合電圧を印加して陽極接合させて一体化して成り、前記絶縁基板の接合面側には固定電極及び感度調整用電極が設けられ、前記半導体基板の接合面側には可動電極が設けられた静電容量型半導体物理量センサの製造方法において、
前記陽極接合前に前記固定電極と可動電極を短絡する同電位配線、及び、固定電極と感度調整用電極を接続する電極面積調整配線を、前記接合領域の内側で絶縁基板の接合面側に形成しておき、
前記陽極接合後に、前記同電位配線及び電極面積調整配線を切断することを特徴とする静電容量型半導体物理量センサの製造方法。
IPC (5件)：
G01L 9/00
, G01P 9/04
, G01P 15/125
, H01L 29/84
, G01P 15/08
G01L9/00 305G
, G01L9/00 305B
, G01P9/04
, G01P15/125 Z
, H01L29/84 Z
, G01P15/08 P
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE25
, 2F055FF11
, 2F055GG01
, 2F055GG14
, 4M112AA01
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA11
, 4M112CA15
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA13
, 4M112FA20
